Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах AlGaN/GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники / Павлов Владимир Юрьевич
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Павлов, В. Ю. |
| Publicado: | Москва , 2024 |
| Descripción Física: |
22 с. : ил., цв. ил.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||