Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах AlGaN/GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники / Павлов Владимир Юрьевич
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Павлов, В. Ю. |
| Апублікавана: | Москва , 2024 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
22 с. : ил., цв. ил.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||