Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах AlGaN/GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3

Сохранено в:
Шифр документа: 2//261319(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Павлов, В. Ю.
Опубликовано: Москва , 2024
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000003ia4500
001 BY-NLB-br0001959613
005 20250124134718.0
100 # # $a 20241217d2024 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a ||||m 00|yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах AlGaN/GaN  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 2.2.3 
210 # # $a Москва  $d 2024 
215 # # $a 22 с. 
320 # # $a Библиография: с. 18―22. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24309  $a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7329625  $a ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2918580  $a ПОДВИЖНОСТЬ ИОНОВ И ЭЛЕКТРОНОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33870  $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.13.11  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 2.2.3  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Павлов  $b В. Ю.  $g Владимир Юрьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20241217  $g RCR