Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Доан Тхе Хоанг

Сохранено в:
Шифр документа: 26Н//8719(039), ##32Н//513562CD(055),
Вид документа: Диссертации
Автор: Доан Тхе Хоанг
Опубликовано: Минск , 2023
Физические характеристики: 173, [2] л. : ил., схемы, табл.
Язык: Русский
Предмет:
Е-документ: E-документ
00000cbm0a2200000 id4500
001 BY-NLB-br0001898205
005 20240328162333.0
100 # # $a 20240219h20232023k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a BY 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ab  $a aa 
200 1 # $a Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением  $e диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники  $f Доан Тхе Хоанг  $g научный руководитель: Голосов Д. А.  $g Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" 
210 # # $a Минск  $d 2023 
215 # # $a 173, [2] л.  $c ил., схемы, табл. 
320 # # $a Библиография: л. 159—172 
328 # 0 $d Защищена 19.10.2023, утверждена 24.01.2024 
488 # 0 $1 001BY-CNB-br5716421 
517 1 # $a Формирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11906  $a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar64055  $a МОП-СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33870  $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar34171  $a ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1756760  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar1670946  $a СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar9573  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar19558  $a НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar4777100  $a МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar15827  $a ЛЕГИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2644768  $a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ  $2 DVNLB 
606 # # $3 BY-NLB-ar39284  $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
675 # # $a 621.382.049.77-027.3:621.793.7(043.3)  $v 4  $z rus 
686 # # $a 47.13.11  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.33  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.09.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 55.22.23  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 55.20.15  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.06  $2 nsnrrb 
700 # 0 $3 BY-CNB-ar2722762  $a Доан Тхе Хоанг  $c кандидат технических наук  $c микроэлектроника 
702 # 1 $3 BY-NLB-ar2637559  $a Голосов  $b Д. А.  $g Дмитрий Анатольевич  $c кандидат технических наук  $f род. 1971  $4 727 
712 0 2 $3 BY-NLB-ar186905  $a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники  $c Минск  $4 595  $4 995 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20240219  $g RCR 
856 4 # $u https://elib.nlb.by:8070/viewer/?markID=BY-NLB-br0001898205&fileID=11980683