|
|
|
|
|
00000cbm0a2200000 id4500 |
001 |
BY-NLB-br0001898205 |
005 |
20240328162333.0 |
100 |
# |
# |
$a 20240219h20232023k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a BY
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ab
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
$e диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$f Доан Тхе Хоанг
$g научный руководитель: Голосов Д. А.
$g Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
|
210 |
# |
# |
$a Минск
$d 2023
|
215 |
# |
# |
$a 173, [2] л.
$c ил., схемы, табл.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: л. 159—172
|
328 |
# |
0 |
$d Защищена 19.10.2023, утверждена 24.01.2024
|
488 |
# |
0 |
$1 001BY-CNB-br5716421
|
517 |
1 |
# |
$a Формирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11906
$a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar64055
$a МОП-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33870
$a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar34171
$a ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1756760
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar1670946
$a СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar9573
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar19558
$a НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar4777100
$a МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2644768
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
675 |
# |
# |
$a 621.382.049.77-027.3:621.793.7(043.3)
$v 4
$z rus
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 55.22.23
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 55.20.15
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 nsnrrb
|
700 |
# |
0 |
$3 BY-CNB-ar2722762
$a Доан Тхе Хоанг
$c кандидат технических наук
$c микроэлектроника
|
702 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar2637559
$a Голосов
$b Д. А.
$g Дмитрий Анатольевич
$c кандидат технических наук
$f род. 1971
$4 727
|
712 |
0 |
2 |
$3 BY-NLB-ar186905
$a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
$c Минск
$4 595
$4 995
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20240219
$g RCR
|
856 |
4 |
# |
$u https://elib.nlb.by:8070/viewer/?markID=BY-NLB-br0001898205&fileID=11980683
|