|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001878497 |
005 |
20240209072429.0 |
100 |
# |
# |
$a 20231204d2023 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
$e специальность 1.3.11 Физика полупроводников
$f Трегулов Вадим Викторович
$g [место защиты: Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"]
|
210 |
# |
# |
$a Рязань
$d 2023
|
215 |
# |
# |
$a 38 с.
$c ил., табл.
|
311 |
# |
# |
$a В фонде НББ имеется автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук (Рязань, 2022)
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 31—38
|
488 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br0001788596
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2745708
$a ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1659663
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82987
$a ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar65264
$a ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185522
$a ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.31.21
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 1.3.11.
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14308467
$a Трегулов
$b В. В.
$g Вадим Викторович
$c кандидат технических наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20231204
$g RCR
|