Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Верхолетов Максим Георгиевич
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Верхолетов, М. Г. |
| Wydane: | Томск , 2023 |
| Opis fizyczny: |
20 с. : ил., цв. ил.
|
| Język: | Русский |
| Hasła przedmiotowe: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||