Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Верхолетов Максим Георгиевич
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Верхолетов, М. Г. |
| Publié: | Томск , 2023 |
| Description matérielle: |
20 с. : ил., цв. ил.
|
| Langue: | Русский |
| Sujets: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||