|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001838432 |
| 005 |
20230712160020.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20230512d2023 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 1.3.11 Физика полупроводников
$f Гисматулин Андрей Андреевич
$g [место защиты: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2023
|
| 215 |
# |
# |
$a 21 с.
$c цв. ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—21
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5836467
$a МЕМРИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2212609
$a ОКСИДЫ КРЕМНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar20812
$a НИТРИД КРЕМНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1607655
$a ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a транспорт заряда
|
| 610 |
0 |
# |
$a транспарт зараду
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.59.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 1.3.11
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14451247
$a Гисматулин
$b А. А.
$g Андрей Андреевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20230512
$g RCR
|
