|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001836122 |
| 005 |
20230619082805.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20230427d2023 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Гетероструктурные СВЧ полевые транзисторы с селективным донорно-акцепторным легированием
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
$e специальность 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
$f Лукашин Владимир Михайлович
$g [место защиты: Научно-производственное предприятие "Исток" им. А. И. Шокина]
|
| 210 |
# |
# |
$a Фрязино
$d 2023
|
| 215 |
# |
# |
$a 41 с.
$c цв. ил., табл.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 32—41
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2125662
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1735600
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8045225
$a ЛЕГИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.45.99
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.13
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 2.2.2
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14444012
$a Лукашин
$b В. М.
$g Владимир Михайлович
$c кандидат технических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20230427
$g RCR
|
