Физико-технологические особенности формирования полупроводниковых наноматериалов на основе оксида цинка для фотокаталитических приложений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Якушова Надежда Дмитриевна

Сохранено в:
Шифр документа: 2//251030(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Якушова, Н. Д.
Опубликовано: Пенза , 2022
Физические характеристики: 19 с. : ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001816469
005 20230419194109.0
100 # # $a 20230120d2022 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физико-технологические особенности формирования полупроводниковых наноматериалов на основе оксида цинка для фотокаталитических приложений  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 1.3.11 Физика полупроводников  $f Якушова Надежда Дмитриевна  $g [Пензенский государственный университет] 
210 # # $a Пенза  $d 2022 
215 # # $a 19 с.  $c ил., табл. 
320 # # $a Библиография: с. 17—19 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4314591  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2724929  $a ОКСИД ЦИНКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2261063  $a ПОРОШКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5281079  $a ФОТОКАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.22  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 31.15.29  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 61.31.55  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 1.3.11  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar14390504  $a Якушова  $b Н. Д.  $g Надежда Дмитриевна  $c электроника 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20230120  $g RCR