|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001816469 |
005 |
20230419194109.0 |
100 |
# |
# |
$a 20230120d2022 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Физико-технологические особенности формирования полупроводниковых наноматериалов на основе оксида цинка для фотокаталитических приложений
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 1.3.11 Физика полупроводников
$f Якушова Надежда Дмитриевна
$g [Пензенский государственный университет]
|
210 |
# |
# |
$a Пенза
$d 2022
|
215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил., табл.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—19
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2724929
$a ОКСИД ЦИНКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2261063
$a ПОРОШКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5281079
$a ФОТОКАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 31.15.29
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 61.31.55
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 1.3.11
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14390504
$a Якушова
$b Н. Д.
$g Надежда Дмитриевна
$c электроника
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20230120
$g RCR
|