Мощные полупроводниковые низковольтные лазер-тиристоры на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Соболева Ольга Сергеевна

Сохранено в:
Шифр документа: 2//249992(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Соболева, О. С.
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2022
Физические характеристики: 26 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001804033
005 20230124103445.0
100 # # $a 20221122d2022 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Мощные полупроводниковые низковольтные лазер-тиристоры на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 1.3.11 Физика полупроводников  $f Соболева Ольга Сергеевна  $g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук] 
210 # # $a Санкт-Петербург  $d 2022 
215 # # $a 26 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 24—26 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar6882  $a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34000  $a ТИРИСТОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24598  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2868807  $a НАНОСЕКУНДНЫЕ ИМПУЛЬСЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.22  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.33.15  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.03.05  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.03.07  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 1.3.11  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-671477  $a Соболева  $b О. С.  $g Ольга Сергеевна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20221122  $g RCR