Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Трегулов Вадим Викторович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//248291(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Трегулов, В. В.
Опубликовано: Рязань , 2022
Физические характеристики: 39 с., включая обложку : ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001788596
005 20240122120046.0
100 # # $a 20220908d2022 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук  $e специальность 1.3.11 Физика полупроводников  $f Трегулов Вадим Викторович  $g [Рязанский государственный университет им. С. А. Есенина] 
210 # # $a Рязань  $d 2022 
215 # # $a 39 с., включая обложку  $c ил., табл. 
311 # # $a В фонде НББ имеется автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук (Рязань, 2023) 
320 # # $a Библиография: с. 32—39 
488 # 0 $1 001BY-NLB-br0001878497 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2745708  $a ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1659663  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1720201  $a ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar36833  $a ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 1.3.11.  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar14308467  $a Трегулов  $b В. В.  $g Вадим Викторович  $c кандидат технических наук 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20220908  $g RCR