Лазерные гетероструктуры на основе GaAs и InP с улучшенной вольт-амперной характеристикой: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Волков Никита Александрович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//247405(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Волков, Н. А.
Опубликовано: Москва , 2022
Физические характеристики: 21 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001780326
005 20220920194949.0
100 # # $a 20220715d2022 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Лазерные гетероструктуры на основе GaAs и InP с улучшенной вольт-амперной характеристикой  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.03 Квантовая электроника  $f Волков Никита Александрович  $g [Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха] 
210 # # $a Москва  $d 2022 
215 # # $a 21 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 18—21 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13196  $a КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar85364  $a ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar6882  $a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2297581  $a ФОСФИД ИНДИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1993079  $a МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2694522  $a ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.09.29  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.09.47  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.06  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.03  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar14277934  $a Волков  $b Н. А.  $g Никита Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20220715  $g RCR