|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001780326 |
005 |
20220920194949.0 |
100 |
# |
# |
$a 20220715d2022 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Лазерные гетероструктуры на основе GaAs и InP с улучшенной вольт-амперной характеристикой
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.03 Квантовая электроника
$f Волков Никита Александрович
$g [Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2022
|
215 |
# |
# |
$a 21 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—21
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13196
$a КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar85364
$a ЛАЗЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2297581
$a ФОСФИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1993079
$a МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2694522
$a ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.47
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.06
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.03
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14277934
$a Волков
$b Н. А.
$g Никита Александрович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20220715
$g RCR
|