Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазеров спектрального диапазона 1400-2000 нм: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Светогоров Владимир Николаевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//247307(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Светогоров, В. Н.
Опубликовано: Москва , 2022
Физические характеристики: 20 с. : ил., цв. ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001779857
005 20221004151511.0
100 # # $a 20220713d2022 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазеров спектрального диапазона 1400-2000 нм  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.03 Квантовая электроника  $f Светогоров Владимир Николаевич  $g [Акционерное общество "Научно-исследоваательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха"] 
210 # # $a Москва  $d 2022 
215 # # $a 20 с.  $c ил., цв. ил., табл. 
320 # # $a Библиография: с. 18—20 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24598  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15687  $a ЛАЗЕРНО-АКТИВНЫЕ СРЕДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2390800  $a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1993079  $a МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.35.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.09.29  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.03  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar14275669  $a Светогоров  $b В. Н.  $g Владимир Николаевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20220713  $g RCR