|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001779857 |
005 |
20221004151511.0 |
100 |
# |
# |
$a 20220713d2022 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Полупроводниковые гетероструктуры AlGaInAs/InP с компенсацией упругих напряжений для лазеров спектрального диапазона 1400-2000 нм
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.03 Квантовая электроника
$f Светогоров Владимир Николаевич
$g [Акционерное общество "Научно-исследоваательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха"]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2022
|
215 |
# |
# |
$a 20 с.
$c ил., цв. ил., табл.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—20
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24598
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15687
$a ЛАЗЕРНО-АКТИВНЫЕ СРЕДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1993079
$a МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 47.35.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.03
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14275669
$a Светогоров
$b В. Н.
$g Владимир Николаевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20220713
$g RCR
|