|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001748046 |
| 005 |
20220428174050.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20220209d2022 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Тхан Пьо Чжо
$g [Национальный исследовательский университет "МИЭТ"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2022
|
| 215 |
# |
# |
$a 23 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—23 (13 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24602
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2125662
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1735600
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar48187
$a ТЕХНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4048642
$a БУФЕРНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33904
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18108
$a РАСЧЕТА МЕТОДЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.10
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.37
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
0 |
$3 BY-SEK-ar14170704
$a Тхан Пьо Чжо
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20220209
$g RCR
|
