Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Зайцева Юлия Сергеевна

Сохранено в:
Шифр документа: 2//243145(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Зайцева, Ю. С.
Опубликовано: Москва , 2021
Физические характеристики: 23 с. : ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
СВЕРХРЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
ФАЗОВАЯ ПАМЯТЬ
ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ
РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ
НАНОСТРУКТУРЫ
ЗЕРНИСТАЯ СТРУКТУРА
ПОДЛОЖКИ (электроника)
СУРЬМА
ПАССИВИРОВАНИЕ
ПОВЕРХНОСТНЫЕ ДЕФЕКТЫ
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001736902
005 20220302094456.0
100 # # $a 20211209d2021 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 01.04.10 Физика полупроводников  $f Зайцева Юлия Сергеевна  $g [Национальный исследовательский университет "МИЭТ"] 
210 # # $a Москва  $d 2021 
215 # # $a 23 с.  $c ил., табл. 
320 # # $a Библиография: с. 19—23 (29 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1978538  $a ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2668111  $a СВЕРХРЕШЕТКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35611  $a ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5227796  $a ФАЗОВАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39126  $a ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar52660  $a РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2665900  $a НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11011  $a ЗЕРНИСТАЯ СТРУКТУРА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24113  $a ПОДЛОЖКИ (электроника)  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32598  $a СУРЬМА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2726715  $a ПАССИВИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4540599  $a ПОВЕРХНОСТНЫЕ ДЕФЕКТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2282245  $a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.22  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.15  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-365553  $a Зайцева  $b Ю. С.  $g Юлия Сергеевна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20211209  $g RCR 

Схожие документы