Исследование методов формирования структур с критическими размерами до 10 нм электронно-лучевой литографией на основе HSQ резиста: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Шишлянников Антон Валерьевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шишлянников, А. В. |
| Опубликовано: | Москва , 2021 |
| Физические характеристики: |
23 с., включая обложку : цв. ил..
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||