Strained-layer optoelectronic materials and devices / [guest editors: James J. Coleman, Barry I. Miller]

Сохранено в:
Шифр документа: 3И//461237(050),
Вид документа: Периодические издания
Опубликовано: New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers , 1994
Физические характеристики: С. [2], 219―630 : іл. ; 28 см
Язык: Английский
Серия: IEEE journal of quantum electronics vol. 30, № 2
00000cam2a22000003is4500
001 BY-NLB-br0001715879
005 20210906160431.0
100 # # $a 20210906d1994 |||y0bely50 ba 
101 0 # $a eng 
102 # # $a US 
105 # # $a ac ||||000yy 
200 1 # $a Strained-layer optoelectronic materials and devices  $f [guest editors: James J. Coleman, Barry I. Miller] 
210 # # $a New York  $c Institute of Electrical and Electronics Engineers  $d 1994 
215 # # $a С. [2], 219―630  $c іл.  $d 28 см 
225 2 # $a IEEE journal of quantum electronics  $x 0018-9197  $v vol. 30, № 2 
320 # # $a Бібліяграфія ў канцы артыкулаў 
461 # 1 $1 001BY-NLB-br292669  $1 2001   $v 1994,Vol.30,№2 
517 0 # $a Special issue on strained-layer optoelectronic materials and devices 
702 # 1 $a Coleman  $b James J.  $4 340 
702 # 1 $a Miller  $b Barry I.  $4 340 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20210906  $g RCR