|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001688833 |
| 005 |
20210611163117.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20210408d2020 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Шостаченко Станислав Алексеевич
$g [Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2020
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил., табл.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 21—22 (9 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7329625
$a ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3378704
$a ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.35.47
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13973807
$a Шостаченко
$b С. А.
$g Станислав Алексеевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20210408
$g RCR
|
