|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001638729 |
| 005 |
20200921162406.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20200806d2020 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур (Al,Ga)N/c-Al2O3 для оптоэлектронных приборов среднего ультрафиолетового диапазона (λ<300 нм)
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Нечаев Дмитрий Валерьевич
$g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2020
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21869
$a ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25458
$a ПРИЕМНИКИ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35187
$a УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5279207
$a ПЛАЗМЕННАЯ АКТИВАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4348477
$a ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2420285
$a БЫСТРЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4048642
$a БУФЕРНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6649952
$a ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13804368
$a Нечаев
$b Д. В.
$g Дмитрий Валерьевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20200806
$g RCR
|
