|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001623285 |
| 005 |
20200921185028.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20200421d2020 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Получение легированных мышьяком эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe (x~0,4) методом MOCVD и изучение их электрофизических свойств
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
$e специальность 02.00.01 Неорганическая химия
$f Евстигнеев Владимир Сергеевич
$g [Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2020
|
| 215 |
# |
# |
$a 26 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 24—26
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar20394
$a НЕОРГАНИЧЕСКАЯ ХИМИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902665
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar22114
$a ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar19340
$a МЫШЬЯК
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1796436
$a КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ОРИЕНТИРОВКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar60491
$a ГАЗОВАЯ ФАЗА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar42268
$a ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3134371
$a НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 02.00.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 31.17.15
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 31.15.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 31.15.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13740154
$a Евстигнеев
$b В. С.
$g Владимир Сергеевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20200421
$g RCR
|
