|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001619470 |
005 |
20200915113845.0 |
100 |
# |
# |
$a 20200401d2020 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Воздействие слабых магнитных полей на реальную структуру и свойства полупроводниковых кристаллов CdTe(Cl) и CdTe(Cl,Fe)
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.18 Кристаллография, физика кристаллов
$f Волчков Иван Сергеевич
$g [Институт крисаллографии им. А. В. Шубникова Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2020
|
215 |
# |
# |
$a 24 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—24
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24610
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9199
$a ДИАМАГНЕТИЗМ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3236770
$a ИМПУЛЬСНОЕ МАГНИТНОЕ ПОЛЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3236656
$a ПОСТОЯННОЕ МАГНИТНОЕ ПОЛЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32376
$a СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ (экон.)
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4291447
$a ОБЪЕМНЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4291555
$a ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2120628
$a УДЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar31727
$a СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.18
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.47
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.37
$v 6
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13729386
$a Волчков
$b И. С.
$g Иван Сергеевич
$c кандидат физико-математических наук
$f род. 1992
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20200401
$g RCR
|