|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001593562 |
005 |
20200218192857.0 |
100 |
# |
# |
$a 20191126d2019 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 01.04.04 Физическая электроника
$f Федин Иван Владимирович
$g [Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)]
|
210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2019
|
215 |
# |
# |
$a 21 с.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20—21 (11 назв.)
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11562
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3286576
$a ШОТТКИ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1718776
$a ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33870
$a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33866
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3321655
$a КОНСТРУКТИВНЫЕ РЕШЕНИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13645148
$a Федин
$b И. В.
$g Иван Владимирович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20191126
$g RCR
|