|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001590899 |
| 005 |
20200402183905.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20191116d2019 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Процессы поглощения и излучения света в структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенными на различных подложках
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Байдакова Наталия Алексеевна
$g [Институт прикладной физики РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2019
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—19
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar77625
$a НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21873
$a ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar16761
$a ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1950898
$a ПАРАМЕТРИЗАЦИИ МЕТОД
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13637723
$a Байдакова
$b Н. А.
$g Наталия Алексеевна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20191116
$g RCR
|
