|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001570542 |
005 |
20191210201226.0 |
100 |
# |
# |
$a 20190806d2019 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Шевлягин Александр Владимирович
$g [Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения отделения РАН]
|
210 |
# |
# |
$a Владивосток
$d 2019
|
215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—19
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2379856
$a КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3298520
$a ДИСИЛИЦИД ЖЕЛЕЗА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2899203
$a КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21873
$a ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13567819
$a Шевлягин
$b А. В.
$g Александр Владимирович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20190806
$g RCR
|