Разработка и исследование технологических основ формирования элементов резистивной памяти на основе нанокристаллических пленок оксида цинка для нейроморфных систем: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Томинов Роман Викторович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//226988(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Томинов, Р. В.
Опубликовано: Таганрог , 2019
Физические характеристики: 23 с. : ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001545953
005 20230321090245.0
100 # # $a 20190415d2019 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Разработка и исследование технологических основ формирования элементов резистивной памяти на основе нанокристаллических пленок оксида цинка для нейроморфных систем  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Томинов Роман Викторович  $g [Южный федеральный университет] 
210 # # $a Таганрог  $d 2019 
215 # # $a 23 с.  $c ил., табл. 
320 # # $a Библиография: с. 21—23 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2724929  $a ОКСИД ЦИНКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3363348  $a НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32976  $a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar14423100  $a НЕЙРОМОРФНЫЕ СИСТЕМЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
686 # # $a 47.33  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar13495503  $a Томинов  $b Р. В.  $g Роман Викторович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20190415  $g RCR