|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001512096 |
| 005 |
20190315133023.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20181129d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Баранов Глеб Владимирович
$g [Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ"), Московский физико-технический институт (государственный университет) (МФТИ)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c цв. ил., ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24602
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15092
$a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar30588
$a СЛОИСТЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25538
$a ПРИМЕСИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar87382
$a ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26909
$a РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13396377
$a Баранов
$b Г. В.
$g Глеб Владимирович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20181129
$g RCR
|
