|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001509125 |
| 005 |
20190404152633.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20181120d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.04 Физическая электроника
$f Андрианов Николай Александрович
$g [Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35913
$a ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1778938
$a ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23657
$a ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3128229
$a ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4284565
$a ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.41.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.35
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-138984
$a Андрианов
$b Н. А.
$g Николай Александрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20181120
$g RCR
|
