|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001508646 |
| 005 |
20190311151342.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20181119d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Суродин Сергей Иванович
$g [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 21 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—21
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658725
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar71987
$a НАНОКРИСТАЛЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902665
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5961785
$a КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ-СТРУКТУРА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13388197
$a Суродин
$b С. И.
$g Сергей Иванович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20181119
$g RCR
|
