|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001497010 |
| 005 |
20181217112023.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20181009d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Рубан Олег Альбертович
$g [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 23 с., включая обложку
$c ил., цв. ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 21—23 (11 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4284565
$a ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1778938
$a ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2757314
$a СТРУКТУРНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2324
$a АМПЛИТУДНО-ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1735600
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.45.99
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13354891
$a Рубан
$b О. А.
$g Олег Альбертович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20181009
$g RCR
|
