Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Васильевский Иван Сергеевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//222249(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Васильевский, И. С.
Опубликовано: Москва , 2018
Физические характеристики: 43 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
НАНОСТРУКТУРЫ
АРСЕНИДЫ
ГАЛЛИЙ
ИНДИЙ
КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
НАНОСЛОИ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ
ПРОСТРАНСТВЕННАЯ СТРУКТУРА
ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ
ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001492235
005 20181122143250.0
100 # # $a 20180914d2018 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук  $e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Васильевский Иван Сергеевич  $g [МИФИ] 
210 # # $a Москва  $d 2018 
215 # # $a 43 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 39—43 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32976  $a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2125662  $a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2665900  $a НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2185937  $a АРСЕНИДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar52850  $a ГАЛЛИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11674  $a ИНДИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2390800  $a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13380355  $a НАНОСЛОИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38838  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39116  $a ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2427704  $a РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2465217  $a ПРОСТРАНСТВЕННАЯ СТРУКТУРА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar62662  $a ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2685025  $a ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2134578  $a ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
686 # # $a 29.35.47  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.35.15  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.22  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.24  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-683213  $a Васильевский  $b И. С.  $g Иван Сергеевич  $c кандидат физико-математических наук  $c физик 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20180914  $g RCR 

Схожие документы