|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
001 |
BY-NLB-br0001480116 |
005 |
20180628114415.0 |
100 |
# |
# |
$a 20180628d1985 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
200 |
1 |
# |
$a Современное состояние исследований механизма роста эпитаксиальных слоев кремния и соединений АIII BV из газовой фазы. Ч. 3
$i Анализ механизма элементарных стадий при эпитаксиальном росте соединений АIII BV из газовой фазы
$e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1966―1984 гг.)
$f С. С. Стрельченко, А. А. Матяш, Ю. И. Кунакин
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1985
|
215 |
# |
# |
$a 53, [1] с.
$c ил.
$d 21 см
|
225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 6
$i Материалы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1985, вып. 5
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 47―53 (109 назв.)
|
345 |
# |
# |
$a 1650 экз.
|
461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78456
$1 2001
$v 1985, вып. 9
|
700 |
# |
1 |
$a Стрельченко
$b С. С.
$g Станислав Сергеевич
|
701 |
# |
1 |
$a Матяш
$b А. А.
$g Александр Андреевич
|
701 |
# |
1 |
$a Кунакин
$b Ю. И.
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180628
$g psbo
|