|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001480052 |
| 005 |
20180628100031.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20180628d1984 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Современное состояние исследований механизма роста эпитаксиальных слоев кремния и соединений АIII BV из газовой фазы. Ч. 1
$i Элементарные процессы на поверхности монокристаллов, растущих из газовой фазы
$e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1968―1982 гг.)
$f С. С. Стрельченко, А. А. Матяш
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 36, [1] с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 6
$i Материалы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1984, вып. 5
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 31―37 (102 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$a 1580 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78456
$1 2001
$v 1984, вып. 5
|
| 700 |
# |
1 |
$a Стрельченко
$b С. С.
$g Станислав Сергеевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Матяш
$b А. А.
$g Александр Андреевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180628
$g psbo
|
