|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001479784 |
| 005 |
20180627101108.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20180627d1990 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Механизмы роста, структура и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев арсенида индия, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
$e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1978―1989 гг.)
$f А. А. Величко, В. А. Илюшин
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1990
|
| 215 |
# |
# |
$a 50 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 6
$i Материалы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1990, вып. 9
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 47―50 (48 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$a 600 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78456
$1 2001
$v 1990, вып. 9
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-464234
$a Величко
$b А. А.
$g Александр Андреевич
|
| 701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-468563
$a Илюшин
$b В. А.
$g Владимир Александрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180627
$g psbo
|
