|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001473086 |
005 |
20180927145639.0 |
100 |
# |
# |
$a 20180525d2018 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Рындина Татьяна Сергеевна
$g [Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2018
|
215 |
# |
# |
$a 27 с.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 25—27
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3337146
$a ПОЛИМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3363563
$a ПОЛИИНЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18737
$a МОЛЕКУЛЯРНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39116
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5860446
$a МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.51
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13261142
$a Рындина
$b Т. С.
$g Татьяна Сергеевна
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180525
$g psbo
|