|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001467905 |
| 005 |
20180505143819.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20180505d1970 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIII и B
$f В. Н. Черняеев, Л. В. Кожитов
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c Институт "Электроника"
$d 1970
|
| 215 |
# |
# |
$a 96 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$i Серия: Материалы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1970, вып. 3
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 92―95 (87 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1150 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78456
$1 2001
$v 1970, вып. 3
|
| 700 |
# |
1 |
$a Черняев
$b В. Н.
$g Владимир Николаевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Кожитов
$b Л. В.
$g Лев Васильевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180505
$g psbo
|
