Послойный анализ полупроводниковых материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1970―1987 гг.) / С. С. Волков, А. Б. Толстогузов

Сохранено в:
Шифр документа: 205700-4,
Вид документа: Периодические издания
Автор: Волков, С. С.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1988
Физические характеристики: 48 с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1988, вып. 4
00000cam2a22000003is4500
001 BY-NLB-br0001467403
005 20180504091046.0
100 # # $a 20180504d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a ||||000yy 
200 1 # $a Послойный анализ полупроводниковых материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии  $e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1970―1987 гг.)  $f С. С. Волков, А. Б. Толстогузов 
210 # # $a Москва  $c ЦНИИ "Электроника"  $d 1988 
215 # # $a 48 с.  $c ил.  $d 21 см 
225 1 # $a Обзоры по электронной технике  $h Серия 7  $i Технология, организация производства и оборудование  $f Министерство электронной промышленности СССР  $v 1988, вып. 4 
320 # # $a Библиография: с. 38―48 (109 назв.) 
345 # # $a 2000 экз. 
461 # 1 $1 001BY-NLB-br119311  $1 2001   $v 1988, вып. 4 
700 # 1 $3 BY-SEK-416188  $a Волков  $b С. С.  $g Степан Степанович 
701 # 1 $a Толстогузов  $b А. Б. 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20180504  $g psbo