|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001444134 |
| 005 |
20180126101449.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20180126d1971 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев кремния из газовой фазы
$f М. А. Барил, Ю. П. Ирошников, М. Ф. Егорова
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1971
|
| 215 |
# |
# |
$a 26, [1] с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$i Серия: Микроэлектроника
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1971, вып. 8
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 25―26 (77 назв.)
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78454
$1 2001
$v 1971, вып. 8
|
| 700 |
# |
1 |
$a Барил
$b М. А.
$g Михаил Абрамович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Ирошников
$b Ю. П.
$g Юрий Павлович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Егорова
$b М. Ф.
$g Майя Филипповна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180125
$g psbo
|
