|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001437710 |
| 005 |
20180305102753.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20171220d2017 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 01.04.04 Физическая электроника
$f Юнусов Игорь Владимирович
$g [Научно-производственная фирма "Микран", Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2017
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с., включая обложку
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19 (11 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2125682
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7370485
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11562
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24604
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25811
$a ПРОЕКТИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33870
$a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3321655
$a КОНСТРУКТИВНЫЕ РЕШЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.10
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.35.47
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13121180
$a Юнусов
$b И. В.
$g Игорь Владимирович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20171220
$g psbo
|
