Кристаллизация и свойства гетероструктур InGAPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Арустамян Давид Арсенович
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Арустамян, Д. А. |
Опубликовано: | Новочеркасск , 2017 |
Физические характеристики: |
19 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|