|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001423766 |
| 005 |
20171217161316.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20171026d2017 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Кристаллизация и свойства гетероструктур InGAPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния
$f Арустамян Давид Арсенович
$g [Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новочеркасск
$d 2017
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 16—19
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3130678
$a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2297581
$a ФОСФИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15212
$a КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685016
$a КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-SEK-ar9465129
$a МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОЧАСТИЦЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar29853
$a СЕРЕБРО
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1932605
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36470
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar12949797
$a Арустамян
$b Д. А.
$g Давид Арсенович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20171026
$g psbo
|
