Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальностт 01.04.07 Физика конденсированного состояния, 01.04.10 Физика полупроводников / Рогило Дмитрий Игоревич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рогило, Д. И. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 2017 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||