Физические основы новых способов использования тонкопленочных высокоомных слоев и электронов средних и больших энергий в потенциалографии / [Л. А. Серебров]

Сохранено в:
Вид документа: Периодические издания
Автор: Серебров, Л. А.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1978
Физические характеристики: 78, [1] с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1978, вып. 5
00000cam2a22000003is4500
001 BY-NLB-br0001394485
005 20170620095157.0
100 # # $a 20170620d1978 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a ||||000yy 
200 1 # $a Физические основы новых способов использования тонкопленочных высокоомных слоев и электронов средних и больших энергий в потенциалографии  $f [Л. А. Серебров] 
210 # # $a Москва  $c ЦНИИ "Электроника"  $d 1978 
215 # # $a 78, [1] с.  $c ил.  $d 21 см 
225 1 # $a Обзоры по электронной технике  $h Серия 4  $i Электровакуумные и газоразрядные приборы  $f Министерство электронной промышленности СССР  $v 1978, вып. 5 
304 # # $a Автор указан на обложке 
320 # # $a Библиография: с. 72―79 (85 назв.) 
345 # # $9 1100 экз. 
461 # 1 $1 001BY-NLB-br30734  $1 2001   $v 1978, вып. 5 
700 # 1 $a Серебров  $b Л. А.  $g Лев Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20170620  $g psbo