|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001384975 |
| 005 |
20170914140317.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170515d2017 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Тарасова Елена Александровна
$g [Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (ННГУ им. Н. И. Лобачевского)]
|
| 210 |
# |
# |
$a [Б. м.]
$d 2017
|
| 215 |
# |
# |
$a 27 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 25—27
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26857
$a РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4141564
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 59.45.39
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-525996
$a Тарасова
$b Е. А.
$g Елена Александровна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170515
$g psbo
|
