|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001376114 |
| 005 |
20170413094002.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170413d1978 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Мощные полевые транзисторы с Р-П переходом
$e (реферативно-аналитический обзор)
$f [Н. В. Лемунтуева, А. И. Пыхтунова]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1978
|
| 215 |
# |
# |
$a 84 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 2
$i Полупроводниковые приборы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1978, вып. 7
|
| 300 |
# |
# |
$a Авторы указаны на обложке
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 81―84 (54 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1680 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78453
$1 2001
$v 1978, вып. 7
|
| 700 |
# |
1 |
$a Лементуева
$b Н. В.
|
| 701 |
# |
1 |
$a Пыхтунова
$b А. И.
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170413
$g psbo
|
