Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1967―1981 гг.) / В. В. Бачурин, В. В. Полехов, А. И. Пыхтунова

Сохранено в:
Шифр документа: 182795-3,
Вид документа: Периодические издания
Автор: Бачурин, В. В.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1982
Физические характеристики: 51 с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1982, вып. 3
00000cam2a22000003is4500
001 BY-NLB-br0001373808
005 20170404144425.0
100 # # $a 20170404d1982 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a ||||000yy 
200 1 # $a Применение анизотропного травления кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов  $e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1967―1981 гг.)  $f В. В. Бачурин, В. В. Полехов, А. И. Пыхтунова 
210 # # $a Москва  $c ЦНИИ "Электроника"  $d 1982 
215 # # $a 51 с.  $c ил.  $d 21 см 
225 1 # $a Обзоры по электронной технике  $h Серия 2  $i Полупроводниковые приборы  $f Министерство электронной промышленности СССР  $v 1982, вып. 3 
320 # # $a Библиография: с. 45―51 (91 назв.) 
345 # # $9 1950 экз. 
461 # 1 $1 001BY-NLB-br78453  $1 2001   $v 1982, вып. 3 
700 # 1 $a Бачурин  $b В. В.  $g Виктор Васильевич 
701 # 1 $a Полехов  $b В. В.  $g Владимир Владимирович 
701 # 1 $a Пыхтунова  $b А. И.  $g Александра Ивановна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20170404  $g psbo