Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1980―1985 гг.) / С. А. Костлев, Е. Ф. Прохоров, А. Т. Уколов

Сохранено в:
Шифр документа: 195631-7,
Вид документа: Периодические издания
Автор: Костылев, С. А.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1986
Физические характеристики: 40 с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1986, вып. 7
Загрузка