Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Винокуров Дмитрий Леонидович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//210045(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Винокуров, Д. Л.
Опубликовано: Москва , 2017
Физические характеристики: 23 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001366206
005 20181112102657.0
100 # # $a 20170313d2017 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Винокуров Дмитрий Леонидович  $g [Московский технологический университет] 
210 # # $a Москва  $d 2017 
215 # # $a 23 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 21—23 
606 0 # $3 BY-NLB-ar10767  $a ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11787794  $a МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2665900  $a НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13380355  $a НАНОСЛОИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar16871  $a ТОНКИЕ МАГНИТНЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar6053806  $a ФЕРРИТ ВИСМУТА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar52050  $a ЗАПИСЬ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38838  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
686 # # $a 50.11.29  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar12093634  $a Винокуров  $b Д. Л.  $g Дмитрий Леонидович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20170313  $g RCR