|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001352889 |
005 |
20170405135236.0 |
100 |
# |
# |
$a 20170124d2016 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Захаров Павел Сергеевич
$g [Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Московский физико-технический институт (государственный университет)]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2016
|
215 |
# |
# |
$a 25 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—25
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1756760
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2212609
$a ОКСИДЫ КРЕМНИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35611
$a ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39194
$a ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7358508
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18370
$a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
610 |
0 |
# |
$a переключение проводимости
|
610 |
0 |
# |
$a пераключэнне праводнасці
|
610 |
0 |
# |
$a резистивная память
|
610 |
0 |
# |
$a рэзыстыўная памяць
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.33
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.23
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar7009485
$a Захаров
$b П. С.
$g Павел Сергеевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170124
$g psbo
|