|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001327181 |
005 |
20161125161209.0 |
100 |
# |
# |
$a 20161019d2016 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Рожанский Игорь Владимирович
$g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук]
|
210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2016
|
215 |
# |
# |
$a 37 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 33—37
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3167230
$a РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3125003
$a КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2377740
$a СПИНТРОНИКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45117
$a НАНОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-648014
$a Рожанский
$b И. В.
$g Игорь Владимирович
$c кандидат физико-математических наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20161019
$g psbo
|